Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 93 (2011) | ISSUE 6 | PAGE 372
Влияние межслойных одночастичных перескоков на температуру перехода в сверхпроводящее состояние
Abstract
Известно, что для ВТСП купратов существует зависимость температуры перехода в сверхпроводящее состояние от количества CuO2д слоев в элементарной ячейке. Очевидным следствием многослойности является возможность межслойных перескоков. Полагая, что межслойные перескоки задаются параметром t_{\bot}\left({\bf k}\right)=t_{\bot}\left({\cos(k_x)-\cos(k_y)}\right)^2, на примере двухслойного купрата мы получаем спектр квазичастичных возбуждений в сверхпроводящем состоянии в рамках t-t'-t»-t_\bot-J^*д модели в рамках обобщенной теории среднего поля. Оказалось, что межслойные перескоки не создают дополнительного механизма куперовского спаривания и не повышают Tc. На концентрационной зависимости температуры перехода в сверхпроводящее состояние межслойное расщепление верхней хаббардовской зоны квазичастиц проявляется в виде двух пиков с температурами, меньшими максимальной Tc в однослойном купрате. Выяснено, что межслойные магнитные корреляции антиферромагнитного характера подавляют межслойное расщепление, что вероятно и приводит к единой концентрационной зависимости Tc для однослойных и двухслойных купратов.