Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 93 (2011) | ISSUE 10 | PAGE 620
Расщепление резонансных уровней двухбарьерных структур в сильном высокочастотном электрическом поле
Abstract
Для несимметричных двухбарьерных резонансно-туннельных структур с тонкими высокими барьерами исследованы зависимости ширины и формы резонансных уровней от амплитуды резонансного высокочастотного поля и особенности электронного транспорта в условиях баллистического прохождения электронов вблизи резонансных уровней. Обнаружено, что в зависимости от амплитуды поля резонансный уровень может вначале заметно расширяться, а затем расщепляться на два абсолютно прозрачных уровня. Найдены условия, при которых и нерезонансные каналы рассеяния вблизи уровня могут становиться абсолютно прозрачными.