JETP Letters: issues online

Изучен нелинейный магнетотранспорт двумерных (2D) электронов в селективно легированных гетероструктурах GaAs/AlAs с анизотропной подвижностью μ, имеющей максимальное значение в направлении $[1\overline{1}0]$ , а минимальное - в направлении [110]. Обнаружено, что при увеличении постоянного электрического тока I_dc в холловских мостиках, ориентированных вдоль направления [110], переход 2D-системы в магнетополевое состояние с дифференциальным сопротивлением $r_{xx} \hm\approx 0$ происходит при меньшей величине I_dc и сопровождается более глубоким "провалом" в область отрицательных значений r_xx по сравнению с мостиками, ориентированными вдоль направления $[1\overline{1}0]$ . Полученные экспериментальные результаты объясняются ролью подвижности в спектральной диффузии неравновесных носителей заряда.