|
VOLUME 99 (2014) | ISSUE 4 |
PAGE 231
|
Полупроводниковый искусственный графен: эффекты в слабых магнитных полях
O. А. Ткаченко, B. А. Ткаченко
Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Численно исследован двумерный квантовый транспорт через полоску
гексагональной решетки антиточек, перекрывающую многомодовый
канал в структуре GaAs/AlGaAs. Обнаружено, что малые
перпендикулярные магнитные поля ( мT) подавляют объемные
токи, вызывают появление краевых состояний Ландау и большое
положительное магнитосопротивление по обе стороны от дираковской
точки. В некоторых интервалах по энергии присутствуют таммовские
краевые состояния, что добавляет к ступеням квантования
кондактанса Gn=(2|n|+1)2e2/h осцилляции амплитуды
, вызванные квантованием этих состояний на длине
решетки.
|
|