Оптическое поглощение в условиях одноосного сжатия монокристаллов GaAs позволяет индентифицировать модель £1,2-центра, в рамках которой зарядовые состояния двойного донора (D°,D+ и D-f-+) проявляют С₃у -симметрию и формируются соответственно из волновых функции L, Г и X долин зоны проводимости.