Home
| VOLUME 102 (2015) | ISSUE 8 | PAGE 610 |
|---|
|
Механизм транспорта заряда в тонких пленках аморфного и сегнетоэлектрического Hf0.5Zr0.5O2
Д. Р. Исламов+*, А. Г. Черникова×, М. Г. Козодаев×, А. М. Маркеев×, Т. В. Перевалов+*, В. А. Гриценко+*, О. М. Орлов°
+Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия *Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия ×Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия °Научно-исследовательский институт молекулярной электроники, 124460 Зеленоград, Россия
Abstract
Исследован механизм транспорта заряда в тонких аморфных и сегнетоэлектрических пленках Hf0.5Zr0.5O2. Показано, что в изучаемых материалах механизм транспорта не зависит от кристаллической фазы и является фонон-облегченным туннелированием между ловушками. В результате сравнения экспериментальных вольт-амперных характеристик структур TiN/Hf0.5Zr0.5O2/Pt с рассчитанными определены параметры ловушки: термическая энергия 1.25 эВ и оптическая энергия 2.5 эВ. Оценена концентрация ловушек:  .
|