Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 101 (2015) | ISSUE 3 | PAGE 207
Магнетосопротивление тонких пленок, обусловленное слабой локализацией, в условиях изменения размерности системы под действием магнитного поля и температуры
DOI: 10.7868/S0370274X1503011X
Abstract
Теоретически проанализировано и экспериментально исследовано магнетосопротивление тонких пленок, обусловленное явлением слабой локализации электронов в условиях, когда толщина пленки сравнима с длиной диффузии электронов за время релаксации фазы волновой функции или с магнитной длиной. Получено выражение для магнетосопротивления тонких пленок при произвольном соотношении между толщиной пленки и длиной диффузии электронов за время релаксации фазы волновой функции. Показано, что полученное выражение хорошо описывает магнетосопротивление пленок оксида цинка, легированного галлием в условиях изменения их эффективной размерности по отношению к явлению слабой локализации, вызванного изменением магнитного поля и температуры.