Нулевое дифференциальное сопротивление двумерного электронного газа в одномерном периодическом потенциале при больших факторах заполнения
А. А. Быков+*, И. С. Стрыгин+, А. В. Горан+, Е. Е. Родякина+*, В. Майер×, С. А. Виткалов× 3)
+Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
×Physics Department, City College of the City University of New York, 10031 New York, USA
Abstract
Исследован нелинейный магнетотранспорт двумерного (2D) электронного
газа в одномерных латеральных
сверхрешетках, изготовленных на основе селективно-легированной
гетероструктуры GaAs/AlAs. Одномерная
потенциальная модуляция 2D электронного газа осуществлялась при помощи серии
металлических полосок,
сформированных на поверхности гетероструктуры с использованием
электронно-лучевой литографии и технологии
"взрыва". Изучались зависимости дифференциального сопротивления rxx от
магнитного поля B < 1.5 Тл
при температуре T = 4.2 K в сверхрешетках с
периодом a=400 нм.
Обнаружено, что в одномерных
латеральных сверхрешетках в скрещенных электрическом и магнитном полях
возникают электронные состояния
с . Показано, что в 2D электронных системах с одномерной
периодической модуляцией
состояния с возникают в минимумах соизмеримых
осцилляций магнетосопротивления.