Краевые плазмон-поляритоны на полуплоскости
А. А. Заболотных, В. А. Волков
Институт радиотехники и электроники им. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия
Abstract
Учтено влияние электромагнитного запаздывания на спектр краевых
плазмонов в полубесконечной 2D электронной системе. Задача сводится к сложным
интегральным уравнениям для потенциалов, которые решены с помощью
существенного упрощения интегрального ядра. Проанализировано пространственное
распределение потенциалов, зарядов и токов. Показано, что в высокопроводящей
2D системе краевые плазмон-поляритоны добротны при любых частотах, в том
числе при частотах, меньших τ-1, где τ - время релаксации
электронов.