Дырочно-стимулированный перенос ловушек в диэлектриках
Ю. Н. Новиков
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
C учетом двухзонной проводимости, рассмотрен перенос ловушек в
диэлектрике в электрическом поле после захвата на них дырок. Расстояние, на
которое успевает пройти ловушка с захваченной дыркой, экспоненциально
уменьшается с увеличением электрического поля. Определена
подвижность ловушек c захваченными дырками в Si3N4, которая составила
3•10-15 см2•В/c.