Туннелирование Зинера между уровнями Ландау в двумерной электронной системе с одномерной периодической модуляцией
А. А. Быков+*, И. С. Стрыгин+, Е. Е. Родякина+*, С. А. Виткалов×
+Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
×Physics Department, City College of the City University of New York, 10031 New York, USA
Abstract
Исследован нелинейный магнетотранспорт двумерного (2D) электронного
газа в одномерных латеральных решетках, изготовленных на основе
селективно-легированной гетероструктуры GaAs/AlAs. Одномерная потенциальная модуляция 2D
электронного газа осуществлялась при помощи серии металлических полосок,
сформированных на планарной поверхности холловских мостиков. Изучались
зависимости дифференциального сопротивления rxx от магнитного поля B < 0.5 Тл при температуре T = 1.6 К в решетках с периодом нм.
Показано, что в таких решетках под действием постоянного холловского
электрического поля возникают периодические осцилляции rxx(1/B),
обусловленные туннелированием Зинера между уровнями Ландау. Обнаружено, что в 2D
электронных системах с одномерной периодической модуляцией зинеровские и
соизмеримые осцилляции rxx интерферируют. Полученные экспериментальные
результаты качественно объясняются ролью зон Ландау в нелинейном транспорте при
больших факторах заполнения.