Терагерцовая циклотронная фотопроводимость в сильно разбалансированной двумерной электронно-дырочной системе
М. Л. Савченко+* 1), З. Д. Квон+*, С. Кандуссио× 2), Н. Н. Михайлов+*, С. А. Дворецкий+, С. Д. Ганичев×
+Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
×Terahertz Center, University of Regensburg, D-93040 Regensburg, Germany
Abstract
Впервые проведено экспериментальное исследование терагерцовой
циклотронной резонансной фотопроводимости двумерной
электронно-дырочной системы, когда циклотронный резонанс вызван поглощением излучения электронами,
концентрация которых на один-три порядка ниже концентрации дырок.
Получена информация о поведении основных параметров (амплитуда и
уширение) резонансной фотопроводимости в зависимости от длины волны излучения,
температуры и концентрации электронов.
На основании этого сделан вывод о том, что резонансная фотопроводимость изучаемой
системы обусловлена циклотронным резонансом, вызванным переходами между частично заполненным
нулевым уровнем Ландау электронов и первым, причем уширение резонанса
обусловлено рассеянием на короткодействующем экранированном примесном
потенциале.
Обнаружено, что уменьшение концентрации электронов на порядок не приводит
к заметному уменьшению сигнала фотопроводимости, более того, на длине волны 432 мкм
она даже немного растет.
Указанный факт может быть связан с эффективным усилением напряженности
поля падающей волны в исследуемой системе.