Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 109 | ISSUE 2 | PAGE 98
Особенности электронной структуры топологического изолятора Bi2Se3, дискретно легированного атомами 3d-переходных металлов1)
Abstract
Методом функционала плотности рассчитаны электронные и оптические спектры топологического изолятора Bi2Se3, селективно легированного атомами V, Cr, Mn, Fe и Co. Показано, что вставка магнитных атомов в отдельные дельта-слои (один на 2-9 пятислойников Bi2Se3) многократно усиливает магнитные эффекты. Наиболее подробно изучено легирование Mn, при котором реализуется ферромагнитное упорядочение спинов. Отмечена чувствительность спинового порядка к концентрации и расположению магнитных атомов. Изучение аналитической модели, где электроны Bi2Se3 резонансно рассеиваются на атомном слое переходного металла, также указывает на существование спин-поляризованных состояний в области щели Bi2Se3. Как показывают наши первопринципные расчеты, наличие конгруэнтных ветвей электронного спектра вблизи уровня Ферми приводит к особенностям оптической проводимости при \hbar\omega\approx0.15{-}0.3 эВ, к появлению инфракрасного плазмона и к углу Керра θ K>12° в инфракрасной области спектра.


Supplemental files
2kul-d.pdf