|
VOLUME 109 (2019) | ISSUE 2 |
PAGE 98
|
Особенности электронной структуры топологического изолятора Bi2Se3, дискретно легированного атомами 3d-переходных металлов1)
Э. Т. Кулатов+*, В. Н. Меньшов×, В. В. Тугушев*, Ю. А. Успенский* 2)
+Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия *Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия ×Donostia International Physics Center (DIPC), 20018 San Sebastian, Basque Country, Spain
Abstract
Методом функционала плотности рассчитаны электронные и оптические спектры
топологического изолятора Bi2Se3, селективно легированного атомами V, Cr, Mn, Fe и Co.
Показано, что вставка магнитных атомов в отдельные дельта-слои (один на 2-9 пятислойников
Bi2Se3) многократно усиливает магнитные эффекты.
Наиболее подробно изучено легирование Mn,
при котором реализуется ферромагнитное упорядочение спинов. Отмечена чувствительность
спинового порядка к концентрации и расположению магнитных атомов. Изучение
аналитической модели, где электроны Bi2Se3 резонансно рассеиваются на атомном слое
переходного металла, также указывает на существование спин-поляризованных состояний в
области щели Bi2Se3. Как показывают наши первопринципные расчеты, наличие конгруэнтных
ветвей электронного спектра вблизи уровня Ферми приводит к особенностям оптической
проводимости при эВ, к появлению инфракрасного плазмона и
к углу Керра θ K>12° в инфракрасной области спектра.
|
|