Эффективная инжекция спинов из ферромагнитного металла в полупроводник InSb
Н. А. Виглин+, В. М. Цвелиховская+, Н. А. Кулеш*, Т. Н. Павлов+
+Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН, 620990 Екатеринбург, Россия
*Уральский федеральный университет им. Б. Н. Ельцина, 620002 Екатеринбург, Россия
Abstract
Показаны условия создания полупроводниковых латеральных спиновых устройств
с высокой эффективностью спиновой инжекции. Детально рассмотрены технологические аспекты
формирования магнитных элементов спинового устройства, его электрических контактов и тонкого
диэлектрического слоя из MgO, необходимые для эффективной инжекции спин-поляризованных
электронов. Впервые получен для InSb коэффициент поляризации электронов порядка 25