Home
| VOLUME 111 (2020) | ISSUE 10 | PAGE 668 |
|---|
|
Магнетоосцилляции заряда полевого транзистора, обусловленные индуцированным микроволновым излучением неравновесным распределением электронов по энергии
С. И. Дорожкин+ 1), А. А. Капустин+, В. Уманский* 2), Ю. Х. Смет× 2)
+Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия *Department of Physics, Weizmann Institute of Science, 76100 Rehovot, Israel ×Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, D-70569 Stuttgart, Germany
Abstract
Подтверждено возникновение под микроволновым излучением неравновесной функции распределения электронов по энергии, порождающей магнетоосцилляции сопротивления двумерных электронных систем. Данное утверждение основывается на наблюдении индуцированного микроволновым излучением изменения заряда полевого транзистора с каналом, образованным двухслойной электронной системой. Наблюдавшиеся периодичность и биения магнетоосцилляций заряда объясняются перераспределением электронов между слоями, происходящим вследствие соответствующего неравновесного заполнения электронных состояний. |