Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 111 (2020) | ISSUE 12 | PAGE 820
РККИ-взаимодействие в одномерном кристалле с беспорядком и температурой
DOI: 10.31857/S1234567820120071
Abstract
Получено аналитическое выражение для энергии косвенного обменного взаимодействия двух магнитных примесей в одномерном кристалле с учетом наличия как беспорядка, так и температуры. Включение даже слабого беспорядка в одномерном кристалле приводит к локализации носителей заряда в нем, и, как следствие, к подавлению дальнодействующего косвенного обменного взаимодействия (РККИ-взаимодействия) между двумя магнитными примесями на длине локализации носителей заряда. Увеличение температуры, в свою очередь, приводит к исчезновению когерентности электронной плотности, за счет которой обеспечивается РККИ-взаимодействие. Показано, что оба эти эффекта оказывают влияние независимо друг от друга и приводят к экспоненциальному подавлению величины обменного взаимодействия с увеличением расстояния между примесями. Другое важное проявление беспорядка заключается в изменении степенной зависимости от расстояния между примесями: взаимодействие РККИ спадает с расстоянием быстрее, чем 1/r.