JETP Letters: issues online

Появление фотоэмиссии с угловым разрешением (ARPES) позволило напрямую наблюдать дисперсию электронных состояний: карту спектральной плотности. С другой стороны, карта спектральной плотности может быть получена и теоретически, например, в методе LDA + DMFT. Электронная зона на такой карте характеризуется не только энергетическим положением в данной k-точке, но и шириной, и интенсивностью. Для иллюстрации количественного сравнения теоретических спектральных функций и ARPES данных выбраны спектральные функции, полученные в LDA + DMFT методе. Показано, что теоретические спектральные функции должны учитывать ряд экспериментальных особенностей: сечение фотоионизации, экспериментальное энергетическое и угловое разрешение, а также эффекты времени жизни фотодырки, возникающей в процессе фотоэмиссии. В данной работе представлена соответствующая методика учета указанных экспериментальных особенностей на примере высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) систем на основе железа: NaFeAs и FeSe на подложке SrTiO₃.