Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 113 | ISSUE 6 | PAGE 399
Фототермическая ионизационная спектроскопия вакансий ртути в эпитаксиальных пленках HgCdTe
Abstract
Исследована терагерцовая фотопроводимость узкозонных твердых растворов Hg1-xCdxTe, обусловленная вакансиями ртути - мелкими двухзарядными акцепторами. Выполнены расчеты дискретного спектра вакансий ртути и матричных элементов оптических переходов с основного на возбужденные состояния в модели, учитывающей влияние зоны проводимости и модельный потенциал центральной ячейки. Обнаружены возбужденные состояния с малой энергией ионизации, сформированные преимущественно состояниями легких дырок, которым соответствуют большие значения матричных элементов оптических переходов из основных состояний, и показано, что наблюдаемые линии в спектре фотопроводимости обусловлены переходами на такие состояния как для нейтрального, так и для однократно ионизованного акцептора, а не переходами в континуум валентной зоны.