 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 113 (2021) | ISSUE 6 | PAGE 399 |
|---|
|
Фототермическая ионизационная спектроскопия вакансий ртути в эпитаксиальных пленках HgCdTe
Д. В. Козлов+*, Т. А. Уаман Светикова×, А. В. Иконников×, В. В. Румянцев+*, А. А. Разова+*, М. С. Жолудев+*, Н. Н. Михайлов°∇, С. А. Дворецкий°, В. И. Гавриленко+*, С. В. Морозов+*
+Институт физики микроструктур РАН, 603950 Н. Новгород, Россия *ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 603950 Н. Новгород, Россия ×Физический факультет МГУ им. М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия °Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия ∇Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Исследована терагерцовая фотопроводимость узкозонных твердых растворов Hg1-xCdxTe, обусловленная вакансиями ртути - мелкими двухзарядными акцепторами. Выполнены расчеты дискретного спектра вакансий ртути и матричных элементов оптических переходов с основного на возбужденные состояния в модели, учитывающей влияние зоны проводимости и модельный потенциал центральной ячейки. Обнаружены возбужденные состояния с малой энергией ионизации, сформированные преимущественно состояниями легких дырок, которым соответствуют большие значения матричных элементов оптических переходов из основных состояний, и показано, что наблюдаемые линии в спектре фотопроводимости обусловлены переходами на такие состояния как для нейтрального, так и для однократно ионизованного акцептора, а не переходами в континуум валентной зоны. |