 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 113 (2021) | ISSUE 8 | PAGE 548 |
|---|
|
Роли элементов гетероструктуры на основе топологической фазы Hg1-xCdxTe в эффекте PT-симметричной терагерцовой фотопроводимости
А. С. Казаков+, А. В. Галеева+, А. В. Иконников+, Д. Е. Долженко+, Л. И. Рябова*, Н. Н. Михайлов×, С. А. Дворецкий×, М. И. Банников°, С. Н. Данилов∇, Д. Р. Хохлов+°
+Физический факультет МГУ им. М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия *Химический факультет МГУ им. М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия ×Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия °Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия ∇Университет Регенсбурга, D-95053 Регенсбург, Германия
Abstract
В работе продемонстрировано, что PT-симметричная терагерцовая фотопроводимость, наблюдаемая в гетероструктурах на основе толстых пленок Hg1-xCdxTe, находящихся в топологической фазе, связана с фотовозбуждением носителей заряда в объеме пленки. В то же время местом локализации эффекта является гетероинтерфейс топологическая пленка - тривиальный буферный слой. Обсуждается модель, описывающая такое пространственное разделение источника неравновесных носителей заряда и места проявления эффекта. |