Плазменные возбуждения в частично экранированных двумерных электронных системах (Миниобзор)
А. М. Зарезин+*, П. А. Гусихин+, И. В. Андреев+, В. М. Муравьев+, И. В. Кукушкин+
+Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
*Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), 141701 Долгопрудный, Россия
Abstract
Дан обзор последних достижений в исследовании физических
свойств плазменных возбуждений в частично экранированных металлическими
электродами двумерных электронных системах на базе гетероструктур
AlGaAs/GaAs. Установлено, что в таких системах возбуждается особый тип
двумерных плазменных волн - проксимити плазмон (proximity plasmon).
Экспериментально установлено, что плазменные волны данного семейства
обладают целым рядом новых физических свойств. Во-первых, оказалось, что
дисперсия частично экранированных плазмонов сочетает характерные черты
как экранированного, так и неэкранированного двумерных плазмонов. Во-вторых,
у обнаруженной проксимити моды отсутствует краевая ветвь в
магнитодисперсии. Наконец, оказалось, что в случае если затвор соединен с
двумерной системой внешней цепью, то в системе возбуждается "заряженная"
релятивистская плазменная мода с целым рядом уникальных свойств.
Полученные новые результаты расширяют горизонт возможных приложений
плазмоники в области СВЧ и терагерцовой электроники.