СВЧ-отклик квантового точечного контакта
В. А. Ткаченко+*, A. C. Ярошевич+, З. Д. Квон+*, О. А. Ткаченко+, E. E. Родякина+*, А. В. Латышев+*
+Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Впервые исследован СВЧ-фотокондактанс короткого (100 нм) квантового
точечного контакта на основе высокоподвижного
двумерного электронного газа в диапазоне частот 2-3 ГГц. Обнаружены
гигантский фотокондактанс в туннельном
и отрицательный в открытом режиме. На основе численного моделирования
показано, что такой отклик на облучение
является результатом вынужденных колебаний потенциала седловой точки
квантового точечного контакта и
приложенного к нему измерительного напряжения.