Андерсоновская локализация в двумерной электронно-дырочной системе
З. Д. Квон+*, Е. Б. Ольшанецкий+, М. А. Дрофа+, Н. Н. Михайлов+
+Институт физики полупроводников, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
В сильно разупорядоченной двумерной электронно-дырочной системе
в квантовой яме на основе HgTe обнаружена андерсоновская локализация,
поведение которой принципиальным образом отличается от наблюдаемого в
широко изученных двумерных однокомпонентных электронных и дырочных
системах. Установлено, что в системе происходит двухступенчатая
локализация: первыми локализуются двумерные дырки, как частицы с почти на
порядок большей эффективной массой, чем у электронов. Затем происходит
локализация электронов. Также найдено, что в исследуемой системе
отсутствует переход металл-изолятор: даже при значениях проводимости
σ > e2/h наблюдается диэлектрическая температурная зависимость.
Полученные результаты впервые поднимают вопрос о характере андерсоновской
локализации в двумерной электронно-дырочной системе.