Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-119
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 115 (2022) | ISSUE 2 | PAGE 89
Бесформовочные мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса
Abstract
В работе показано, что обработка в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса (ЭЦР) стехиометрического HfO2, синтезированного методом атомно-слоевого осаждения, приводит к существенному обеднению пленки кислородом и формированию нестехиометрического HfOx (x<2). Степень обеднения кислородом тем выше, чем больше время обработки. Перенос заряда в исследуемых пленках осуществляется по механизму фонон-облегченного туннелирования между ловушками, в качестве которых выступают вакансии кислорода. Установлено, что структуры p++-Si/HfOx/Ni, где оксидный слой обрабатывался в водородной ЭЦР-плазме, обладают мемристорными свойствами: переключаются обратимым образом между состояниями с высоким и низким сопротивлением. Полученные мемристорные структуры являются бесформовочными.