JETP Letters: issues online

$Для двухбарьерной туннельной структуры SkISISk, состоящей из сверхпроводников с существенно отличающимися (равновесными) критическими температурами (Ге0 < Т£) найдена зависимость щели Δ в 5 от напряжения V на структуре. Показано, что: 1) в области eV < 2(Ад + Δο) щель может подрастать до значений порядка равновесной Δ0 ~ Гс0; 2) при Г > Тс0 решение для Δ оказывается двузначной функцией V и Г; 3) в области eV < 2(Δ* Δο) с понижением Τ может происходить три фазовых перехода при температурах Те\ > Гсз > Гсз-Неоднозначность решения приводит к особенностям на зависимости квазичастичной и джозефсоновской компонент тока от V и от Т.$

Для двухбарьерной туннельной структуры S_kISIS_k, состоящей из сверхпроводников с существенно отличающимися (равновесными) критическими температурами (Г_е0 < Т£) найдена зависимость щели Δ в 5 от напряжения V на структуре. Показано, что: 1) в области eV < 2(Ад + Δο) щель может подрастать до значений порядка равновесной Δ₀ ~ Г_с0; 2) при Г > Т_с0 решение для Δ оказывается двузначной функцией V и Г; 3) в области eV < 2(Δ* Δο) с понижением Τ может происходить три фазовых перехода при температурах Т_е\ > Г_сз > Г_сз-Неоднозначность решения приводит к особенностям на зависимости квазичастичной и джозефсоновской компонент тока от V и от Т.