Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 115 | ISSUE 7 | PAGE 420
К теории оптического диода на ионах железа в FeZnMo3O8
Abstract
Рассчитаны параметры взаимодействия состояний 3d-электрона с электромагнитной волной и вероятности магнитных и электрических дипольных переходов между состояниями основного терма иона железа, расщепленного под действием кристаллического поля, обменного и спин-орбитального взаимодействий. Построены графики зависимости линий поглощения от величины и направления приложенного магнитного поля. Показано, что эффект оптического диода, обнаруженный в работе [Sh. Yu, B. Gao, J. W. Kim, S.-W. Cheong, M. K. L. Man, J. Madeo, K. M. Dani, and D. Talbayev, Phys. Rev. Lett. 120, 037601 (2018)], может быть объяснен интерференцией магнитных и электрических дипольных переходов.