Эффект Холла в легированном моттовском диэлектрике: DMFT-приближение
Э. З. Кучинский+, Н. А. Кулеева+, Д. И. Хомский*, М. В. Садовский+
+Институт электрофизики Уральского отделения РАН, 620016 Екатеринбург, Россия
*II Physikalisches Institut, Universitaet zu Koeln, 50937 Koeln, Germany
Abstract
В рамках подхода, основанного на динамической теории среднего поля
(DMFT) анализируется эффект Холла в легированном моттовском диэлектрике, как
прототипе купратного сверхпроводника. Рассматривается ситуация с частичным
заполнением (дырочным допированием) нижней хаббардовской зоны.
Найдена зависимость коэффициента Холла и холловского числа от степени
дырочного легирования и определено значение критической концентрации, при которой
происходит смена знака коэффициента Холла.
Отмечается существенная зависимость параметров эффекта Холла от температуры.
Продемонстрировано хорошее согласие с концентрационной зависимостью холловского
числа, найденной в экспериментах в нормальном состоянии YBCO.