Эффект магнитной памяти в планарных микромостиках ферромагнетик/сверхпроводник/ферромагнетик на основе сильно разбавленного сплава PdFe
Л. Н. Карелинаa, Н. С. Шуравинa, А. С. Ионинa,b, С. В. Бакурскийc, С. В. Егоровa,d, И. А. Головчанскийb,e, В. И. Чичковe, В. В. Больгиновa, В. В. Рязановa,b,e
aИнститут физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
bМосковский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия
cМГУ им. М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына,
119991 Москва, Россия
dРоссийский Квантовый Центр, БЦ "Урал", 143025 Сколково, Москва, Россия
eНациональный исследовательский технологический университет "МИСиС", 119049 Москва, Россия
Abstract
Работа посвящена изучению магнитосопротивления планарного
микромостика на основе трехслойного FSF сэндвича
Pd0.99Fe0.01-Nb-Pd0.99Fe0.01 в окрестности его сверхпроводящего перехода.
Ранее нами было показано, что кривая магнитосопротивления таких образцов
имеет гистерезисный характер и содержит провалы (отрицательные пики) до
низких сопротивлений при коэрцитивных полях. В настоящей работе
обнаружено, что указанное низкорезистивное состояние обладает эффектом
памяти. Продемонстрировано функционирование такого образца в качестве
сверхпроводникового элемента магнитной памяти. Влияние ферромагнитных
Pd0.99Fe0.01-слоев на температуру сверхпроводящего перехода
предлагаемого элемента памяти изучено с помощью измерения зависимости
критической температуры бислойных FS структур Pd0.99Fe0.01-Nb
от толщины слоя Pd0.99Fe0.01.