JETP Letters: issues online

Промоделирован квантовый транспорт в полупроводниковых гексагональных решетках антиточек с периодом 80 нм и коротковолновым беспорядком. Вычислены карты плотности состояний $\mathrm{DoS}$ как функции от напряженности магнитного поля B и концентрации электронов n (диаграммы Ванье) для нескольких амплитуд модуляции потенциала, сравнимых или существенно больше энергии Ферми. Глубокие провалы плотности состояний на картах имеют вид лучей положительного, нулевого и отрицательного наклона. Помимо веера лучей, разделяющих первый и второй, второй и третий уровни Ландау, на картах есть лучи им параллельные, сдвинутые по вертикали и горизонтали на целое число характерных значений концентрации n₀ и магнитного поля B₀. Показано, что знак и величина наклона лучей $\mathrm{DoS}$ соответствуют центрам плато квантованных холловских сопротивлений R_xy. Яркими проявлениями решетки на картах R_xy(n,B) являются реплики первого и второго плато R_xy и осцилляции R_xy между отрицательными и положительными значениями при фиксированном магнитном поле или концентрации, что говорит о смене дырочного и электронного типа носителей.