Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-120
      Volume 120
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 116 (2022) | ISSUE 9 | PAGE 616
Диаграммы Ванье для полупроводникового искусственного графена
Abstract
Промоделирован квантовый транспорт в полупроводниковых гексагональных решетках антиточек с периодом 80 нм и коротковолновым беспорядком. Вычислены карты плотности состояний \mathrm{DoS} как функции от напряженности магнитного поля B и концентрации электронов n (диаграммы Ванье) для нескольких амплитуд модуляции потенциала, сравнимых или существенно больше энергии Ферми. Глубокие провалы плотности состояний на картах имеют вид лучей положительного, нулевого и отрицательного наклона. Помимо веера лучей, разделяющих первый и второй, второй и третий уровни Ландау, на картах есть лучи им параллельные, сдвинутые по вертикали и горизонтали на целое число характерных значений концентрации n0 и магнитного поля B0. Показано, что знак и величина наклона лучей \mathrm{DoS} соответствуют центрам плато квантованных холловских сопротивлений Rxy. Яркими проявлениями решетки на картах Rxy(n,B) являются реплики первого и второго плато Rxy и осцилляции Rxy между отрицательными и положительными значениями при фиксированном магнитном поле или концентрации, что говорит о смене дырочного и электронного типа носителей.