Наночастицы 6H-SiC, интегрированные с атомно-силовым микроскопом для сканирующих квантовых сенсоров
К. В. Лихачев, И. Д. Бреев, С. В. Кидалов, П. Г. Баранов, С. С. Нагалюк, А. В. Анкудинов, А. Н. Анисимов
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
Abstract
Мы изготовили квантовый датчик магнитного поля, используя
вакансионные центры кремния в 6H-SiC на основе метода атомно-силовой
микроскопии. Квантовая сенсорика происходит с помощью метода
оптически детектируемого магнитного резонанса. Для реализации
квантовой сканирующей микроскопии мы прикрепили одну наночастицу 6H-SiC
на острие кантилевера. Изготовленные таким образом квантовые датчики
охарактеризованы с помощью оптической спектроскопии и электронной
микроскопии. Их использование является более экономически целесообразным
и позволяет использовать квантовые сканирующие микроскопы в
физиологических условиях и проводящей среде.