 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 116 (2022) | ISSUE 12 | PAGE 825 |
|---|
|
Генерация терагерцового излучения при фемтосекундном лазерном возбуждении многослойной структуры на основе a-Si:H/a-SiC:H/c-Si
А. В. Андрианов+, А. Н. Алешин+, С. Н. Аболмасов×, Е. И. Теруков+*×, Е. В. Берегулин+
+Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", 197376 С.-Петербург, Россия ×ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике", 194064 С.-Петербург, Россия
Abstract
Сообщается о генерации когерентного терагерцового излучения в p-n-гетероструктурах на основе a-Si:H/a-SiC:H/c-Si при возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами с длиной волны 800 нм при комнатной температуре. Терагерцовое излучение возникает при обратном напряжении смещения на структуре. При этом свойства генерируемого ТГц излучения существенно зависят от величины напряжения смещения, что отражает динамику неравновесных носителей заряда, созданных фемтосекундной лазерной накачкой в гетероструктуре. |