Проявление памяти и бабочка в фотонном эхо на ионах эрбия в LuLiF4 и YLiF4
А. М. Шегеда+, С. Л. Кораблева*, О. А. Морозов+*, В. Н. Лисин+, Н. К. Соловаров+, В. Ф. Тарасов+
+Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Федеральный исследовательский центр "Казанский научный центр РАН", 420029 Казань, Россия
*Казанский (Приволжский) федеральный университет, 420008 Казань, Россия
Abstract
При измерении зависимости интенсивности фотонного эха в
образцах YLiF4 и LuLiF4 с примесными ионами эрбия Er3+ от
ориентации, величины и направления изменения магнитного поля обнаружен
эффект памяти - гистерезис. В образце записывается и запоминается на
время не менее 6 ч при температуре 2 К, предыстория его нахождения в
магнитном поле определенного направления и величины. Эффект критически
зависит от ориентации оптической оси образцов относительно внешнего
магнитного поля.