Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-119
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 117 (2023) | ISSUE 7 | PAGE 550
Эффект резистивного переключения в мемристорах TaN/HfOx/Ni с филаментом, сформированным под действием локальной электронно-лучевой кристаллизации
Abstract
Изучено влияние интенсивного воздействия электронного луча на слой нестехиометрического оксида HfOx (x\approx1.8) в составе мемристора со структурой TaN/HfOx/Ni на его электрофизические свойства. Обнаружено, что в результате воздействия в пленке HfOx образуются кристаллические фазы h-Hf, m-HfO2, o-HfO2 и t-HfO2. Установлено, что при определенных значениях флюенса электронов мемристоры демонстрируют резистивное переключение. При этом, по сравнению с необлученными мемристорами, у таких мемристоров в несколько раз меньше величины напряжений резистивного переключения. Кроме того, у них наблюдается кратное снижение разброса напряжений резистивного переключения, а также сопротивлений в низко- и высокоомном состояниях. Вольт-амперные характеристики полученных мемристоров указывают на то, что транспорт заряда в них описывается механизмом тока, ограниченным пространственным зарядом.