JETP Letters: issues online

Изучено влияние интенсивного воздействия электронного луча на слой нестехиометрического оксида HfO_x ( $x\approx1.8$ ) в составе мемристора со структурой TaN/HfO_x/Ni на его электрофизические свойства. Обнаружено, что в результате воздействия в пленке HfO_x образуются кристаллические фазы h-Hf, m-HfO₂, o-HfO₂ и t-HfO₂. Установлено, что при определенных значениях флюенса электронов мемристоры демонстрируют резистивное переключение. При этом, по сравнению с необлученными мемристорами, у таких мемристоров в несколько раз меньше величины напряжений резистивного переключения. Кроме того, у них наблюдается кратное снижение разброса напряжений резистивного переключения, а также сопротивлений в низко- и высокоомном состояниях. Вольт-амперные характеристики полученных мемристоров указывают на то, что транспорт заряда в них описывается механизмом тока, ограниченным пространственным зарядом.