 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 120 (2024) | ISSUE 9 | PAGE 701 |
|---|
|
Квазиклассическое рассеяние на краевых дефектах в топологических изоляторах в магнитном поле1)
А. Ш. Дотдаев+, Я. И. Родионов* 2), А. В. Рожков*, П. Д. Григорьев×
+Национальный исследовательский технологический университет "МИСИС", 119049 Москва, Россия *Институт теоретической и прикладной электродинамики, 125412 Москва, Россия ×Институт теоретической физики им. Л. Д. Ландау, 117940 Москва, Россия
Abstract
Для электронов, распространяющихся по краевым состояниям двухмерного (2D) топологического изолятора, мы изучаем рассеяние на краевых дефектах, неизбежно присутствующих в реалистичных образцах 2D топологического изолятора, в присутствии внешнего однородного магнитного поля. Магнитное поле нарушает симметрию обращения времени, разрушая топологическую защиту фермионных состояний. Независимо от формы краевой деформации и величины магнитного поля, рассеяние всегда является надбарьерным. В такой ситуации удобно воспользоваться квазиклассическим методом Покровского-Халатникова. Для широких классов аналитических профилей деформации это позволяет теоретически расчитать не только основной экспоненциальный вклад в амплитуду рассеяния, но и предэкспоненциальный множитель. |