|
VOLUME 121 (2025) | ISSUE 4 |
PAGE 294
|
Эффект фотонного увлечения на границе металла и двумерного полупроводника1)
Д. Свинцов2), Ж. Девизорова
Центр фотоники и двумерных материалов, Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия
Abstract
Эффект фотонного увлечения представляет собой механизм генерации
фототока, в котором импульс электромагнитного поля передается
непосредственно носителям заряда. Считается, что этот эффект слаб в силу
малости импульса фотона по сравнению с типичными значениями импульса
носителей заряда. В данной работе мы показываем, что фотонное увлечение
становится особенно сильным на контакте между металлами и 2d-материалами,
где при дифракции генерируются крайне неоднородные локальные электромагнитные поля. Для
этого мы объединяем точное решение задачи дифракции на контакте "металл-2d-материал" с микроскопической теорией эффекта фотонного увлечения и
выводим зависимости соответствующего фотонапряжения от параметров электромагнитного поля
и 2d-системы. Отклик по напряжению оказывается обратно пропорционален
частоте электромагнитной волны ω, двумерной плотности заряда и безразмерному
коэффициенту передачи импульса α, который зависит только от 2d-проводимости,
измеренной в единицах скорости света η = 2π σ/c
и поляризации в падающей волне. Для p-поляризованного падающего света
коэффициент передачи импульса оказывается конечным даже для исчезающе
малой 2d проводимости η, что является следствием динамического
эффекта громоотвода. Для s-поляризованного падающего света коэффициент
передачи импульса масштабируется как , что является
следствием дипольного характера излучения контакта на больших
расстояниях. Теория обобщена на случай когда в системе присутствуют два
типа носителей зарядов (электроны и дырки) и предсказан дальнейший рост
эффекта увлечения по обе стороны от точки зарядовой
нейтральности
|
|