Home
| VOLUME 121 (2025) | ISSUE 5 | PAGE 386 |
|---|
|
Зарядовые состояния одиночных квантовых точек в микрорезонаторной p-n-p гетероструктуре со встроенной кулоновской блокадой
А. И. Галимов, Ю. М. Серов, М. В. Рахлин, Г. В. Климко, С. В. Сорокин, И. В. Седова, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, Ю. А. Салий, Д. С. Березина, С. И. Трошков, Т. В. Шубина, А. А. Торопов
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 194021 С.-Петербург, Россия
Abstract
Исследовано зарядовое состояние одиночных квантовых точек InAs/GaAs в микрорезонаторных p-n-p гетероструктурах в условиях встроенной кулоновской блокады, индуцированной тонким слоем с n-типом проводимости, расположенным вблизи квантовых точек. Оптимальный профиль легирования и толщины слоев в гетероструктуре найдены аналитически путем решения уравнения Пуассона. Число и знак носителей заряда в одиночной квантовой точке определены экспериментальными исследованиями спиновой динамики и статистики однофотонного излучения при резонансном и квазирезонансном возбуждении. Показана возможность получения нейтральных и заряженных, положительно и отрицательно, квантовых точек с вероятностью, превышающей 90 процессов в одиночных квантовых точках и их применения в квантовой фотонике. |