Home
| VOLUME 121 (2025) | ISSUE 5 | PAGE 393 |
|---|
|
Собственный аномальный эффект Холла на поверхности магнитного полупроводника с сильным эффектом Рашба
В. Н. Меньшов+, И. П. Русинов*, Е. В. Чулков×
+Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия *Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия ×Санкт-Петербургский государственный университет, 199034 С.-Петербург, Россия
Abstract
В настоящей работе мы теоретически изучаем, как рассеяние электронов на доменных стенках модифицирует аномальную поперечную проводимость на поверхности магнитного полупроводника с сильным эффектом Рашба. Зонная структура такого полупроводника, характеризуемая нетривиальной кривизной Берри, предопределяет возникновение на магнитной доменной стенке одномерного резонансного состояния в локальной обменной щели. При относительно слабом обменном расщеплении резонансное состояние имеет линейную дисперсию с малым спектральным уширением и обладает свойством киральности. Показано, что присутствие на поверхности пары параллельных доменных стенок может иметь вполне измеряемое физическое следствие: дополнительный почти полуквантованный вклад в аномальный эффект Холла. Поверхность полярного полупроводника BiTeI, допированного атомами переходного металла, является подходящей материальной платформой для обнаружения такого вклада. |