Поглотитель на основе резистивно-нагруженной частотно-селективной поверхности: аналитическая модель и эксперимент
И. В. Стенищев, П. А. Иванов
Институт теоретической и прикладной электродинамики РАН, 125412 Москва, Россия
Abstract
В статье исследуются подходы к построению аналитической модели
частотно-селективных поверхностей. Представлена методика синтеза
модели, включающая оценку ее параметров, численную верификацию на основе
представления поверхности в виде двухпортовой цепи, а также
экспериментальную проверку. Предложенные подходы дают возможность
рассчитывать импеданс на этапе проектирования, что поспособствует
созданию "интеллектуальных покрытий", способных динамически изменять и
адаптировать импеданс нагрузки. Показано, что полная аналитическая модель
совместно с эквивалентной схемой позволяет количественно оценить вклад
каждого компонента поглотителя в общий импеданс, что особенно важно при
решении обратной задачи.