JETP Letters: issues online

Экспериментально исследованы планарный эффект Холла и анизотропное магнитосопротивление в ультрачистом монокристалле HgSe при температуре 80 K в слабых магнитных полях (0.2-2 Тл). Впервые выявлена квадратичная зависимость амплитуды анизотропного магнитосопротивления от поля, характерная для киральной аномалии. Сравнение с теорией дает оценку отношения времен междолинного и транспортного рассеяния $\approx$ 2, согласующуюся с наблюдением в HgSe кирального магнитного эффекта. Обнаружено различие амплитуд планарного эффекта Холла и анизотропного магнитосопротивления. Это различие, несовместимое с моделью единственного источника анизотропии, объясняется суперпозицией киральной аномалии и слабой антилокализации с разными коэффициентами для продольной и поперечной компонент тензора удельного сопротивления. Результаты показывают, что планарный магнитотранспорт в слабых полях является чувствительным индикатором как киральной аномалии, так и квантово-интерференционных эффектов, а именно, слабой антилокализации.