Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-124
      Volume 124
      Volume 123
      Volume 122
      Volume 121
      Volume 120
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 124 (2026) | ISSUE 8 | PAGE 663
Магнитоэлектрические эффекты в туннельных магнитных контактах CoFeB/MgO/CoFeB с перпендикулярной анизотропией
DOI: 10.7868/S3034576626100229
Abstract
Исследовано влияние электрического напряжения на магнитосопротивление туннельных магнитных контактов CoFeB/MgO/CoFeB с перпендикулярной анизотропией. Показано, что увеличение напряжения приводит к сдвигу и сужению петли гистерезиса свободного слоя. Анализ формы петли позволил выделить эффект изменения обменного взаимодействия между магнитными слоями на фоне известных явлений: зависимости поверхностной анизотропии от электрического поля и джоулева нагрева. Установлено, что приложение импульсов напряжения амплитудой до 10 В обеспечивает детерминированное переключение магнитного состояния системы. Изменение эффективного поля обменного взаимодействия через барьер достигает при этом 25 Э. Обнаруженный эффект может быть использован при разработке энергоэффективной магниторезистивной памяти на основе электрического управления обменным взаимодействием в туннельных магнитных контактах.