Об устойчивости слабо заряженной поверхности жидкого гелия
В. Шикин
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
PACS: 67.55.Ig
Abstract
Существующая трактовка развития неустойчивости слабо
заряженной поверхности гелия нуждается в коррекции. Показано, что известный
электростатически "эквипотенциальный" сценарий Френкеля-Тонкса должен
трансформироваться в более общую последовательность событий, сохраняющую смысл
при стремлении 2D плотности зарядов к нулю. В этих условиях меняются
приоритеты и становится предпочтительной зародышевая картина (с образованием
отдельных многозарядных лунок) развития неустойчивости. Эксперимент
качественно подтверждает предсказания теории.