Новая модель электронного экранирования для ионного диода во внешнем магнитном поле
Гордеев А.В., Гречиха А.В.
Введен в рассмотрение фундаментальный механизм электронного перемешивания, возникающий в результате разрушения ламинарной структуры магнитоизоли-рованного электронного слоя из-за неустойчивостей. Это приводит к образованию плаз мо π од об ной среды с равновесным состоянием пе ~ В, что объясняет наблюдаемые в эксперименте и в численных расчетах эффекты падения напряжения на диоде ("voltage decay") и резкого уменьшения фазовой скорости электромагнитных волн в нем. Сравнение развитой теории с экспериментом приводит к эмпирическому факту постоянной скорости накопления электронов в диодном промежутке.
Home
![](/ps/863/article_13250_800_head.png "<b>Введен в рассмотрение фундаментальный механизм электронного перемешивания, возникающий в результате разрушения ламинарной структуры магнитоизоли-рованного электронного слоя из-за неустойчивостей. Это приводит к образованию плаз мо π од об ной среды с равновесным состоянием <i>п<sub>е</sub> ~ В, </i>что объясняет наблюдаемые в эксперименте и в численных расчетах эффекты падения напряжения на диоде ("voltage decay") и резкого уменьшения фазовой скорости электромагнитных волн в нем. Сравнение развитой теории с экспериментом приводит к эмпирическому факту постоянной скорости накопления электронов в диодном промежутке.</b>")