|
VOLUME 63 (1996) | ISSUE 4 CONTENTS |
page number of English version in brackets |
|
Кудрявцев А.Е., Дружинин Б.Л., Тарасов В.Е. ,
О спектре масс дипротонной системы из реакции рn → ppπ- |
221
(235)
|
|
Марков Ю.Ф., Тураев А.Ш. ,
Барическое поведение мягких мод в модельных сегнетоэластиках Нg2I2 |
227
(241)
|
|
Тарасенко С.В. ,
Новые типы коллективных спин-волновых возбуждений в металлических магнитных сверхрешетках
|
232
(247)
|
|
Абов Ю.Г., Эйдлин А.О., Денисов Д.С., Елютин И.О., Матвеев С.К. ,
Наблюдение динамических эффектов в диффузном рассеянии нейтронов методом трехкристального спектрометра
|
237
(252)
|
|
Захарченя Б.П., Кудинов А.В., Кусраев Ю.Г. ,
Эффект Ханле в асимметричной двойной квантовой яме CdTe/CdMnTe
|
241
(256)
|
|
Надь Ф.Я., Иткис М.Е. ,
Энергетический спектр возбуждений в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности
|
246
(262)
|
|
Сухоруков Ю.П., Москвин А.С., Лошкарева Н.Н., Овчинников А.С., Самохвалов А.А., Наумов С.В. ,
Аномалии оптического поглощения в области магнитных фазовых переходов в оксиде меди
|
251
(267)
|
|
Эдельман И.С., Морозова Т.П., Заблуда В.Н., Ким Т.А., Турпанов И.А., Бетенькова А.Я., Дынник Ю.А. ,
Дисперсия вращения Фарадея в мультислойных пленках Co/SiO2 |
256
(273)
|
|
Алещенко Ю.А., Капаев В.В., Копаев Ю.В., Мельник Н.Н. ,
Обусловленный флуктуациями параметров эквидистантный спектр локализованных состояний в квантово-размерных структурах
|
260
(278)
|
|
Dolganov V.K., Fouret R., Gors C. ,
Investigation of the layer-by-layer transition near the bulk smectic-A-crystal-B transition in thick free-standing films
|
266
(285)
|
|
Izmailiaii N.Sh. ,
A spin-3/2 Ising model on a square lattice
|
270
(290)
|
|
Бараш Ю.С., Свидзинский А.А. ,
О низкотемпературном поведении теплопроводности в чистых сверхпроводниках с анизотропным спариванием
|
276
(296)
|
|
Volovik G.E. ,
Glass state of supeifluid 3Не-Л in aerogel
|
281
(301)
|
|
Сапега В.Ф., Перель В.И., Добин А.Ю., Мирлин Д.Н., Акимов И.А., Руф Т., Кардона М., Эберл К. ,
Поляризация горячей фотолюминесценции в сверхрешетках GaAs/AlAs
|
285
(305)
|
|
|