Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 108 (2018) | ISSUE 3 | PAGE 206
Отрицательное дифференциальное сопротивление и другие особенности спин-зависимого электронного транспорта в двух-барьерных гибридных структурах сверхпроводник-ферромагнитный металл-нормальный металл
DOI: 10.1134/S0370274X18150110
Abstract
Спин-зависимый электронный транспорт исследован теоретически для двух-барьерных гибридных структур S-IF-F-IF-N, S-IF-N-IF-N, где S - сверхпроводник, F и N, соответственно, ферромагнитный и нормальный металл, IF - спин-активный барьер. Показано, что при сильном сверхпроводящем эффекте близости и достаточно тонких F слоях дифференциальное сопротивление таких структур может становиться отрицательным при некоторых напряжениях, а зависимость тока от напряжения может иметь N-образный вид. Характерной особенностью дифференциального сопротивления является его асимметричная зависимость от напряжения, которая наиболее ярко проявляется при сильной поляризации, по крайней мере, одного из барьеров. Исследовано теоретически влияние процессов спин-орбитального рассеяния на примесях в N-слое, расположенном между барьерами. Исследование проведено для случая диффузионного электронного транспорта.