Природа структурной асимметрии в двойных квантовых ямах HgTe1)
А. В. Иконнниковa 2), С. С. Криштопенкоa,b, Л. С. Бовкунc,d, Н. Н. Михайловe, С. А. Дворецкийe, Б. А. Пиоc 3), М. Потемскиc 3), М. Орлитаc,f 3), Ф. Теппb 3), В. И. Гавриленкоd
aФизический факультет, МГУ имени М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
bLaboratoire Charles Coulomb (L2C), UMR 5221 CNRS-Université de Montpellier, F-34095 Montpellier, France
cLNCMI-EMFL, CNRS UPR3228, Université Grenoble Alpes, Université Toulouse, INSA-T, 38042 Grenoble and Toulouse, France
dИнститут физики микроструктур РАН - филиал Федерального исследовательского центра
Институт прикладной физики РАН, 603950 Н. Новгород, Россия
eИнститут физики полупроводников им. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
fInstitute of Physics, Charles University in Prague, CZ-12116 Prague, Czech Republic
Abstract
Исследованы концентрационные зависимости расщепления основных
линий магнитопоглощения в нелегированных двойных квантовых ямах
HgTe/CdHgTe p-типа. Анализ расщепления линий магнитопоглощения,
выполненный на основе самосогласованных расчетов зонной структуры,
позволил конкретизировать природу структурной асимметрии в двойных
квантовых ямах HgTe/CdHgTe, а также определить вклады, обусловленные
встроенным электрическим полем, различием толщин квантовых ям и порядка
их расположения в структуре. Различие экспериментальных величин
расщепления "нулевых" уровней Ландау, извлеченных из анализа двух типов
линий, указывает на влияние многочастичных эффектов на энергии переходов
между уровнями Ландау.