|
VOLUME 117 (2023) | ISSUE 3 |
PAGE 228
|
Влияние беспорядка на магнитотранспорт в полупроводниковом искусственном графене
О. А. Ткаченко+, В. А. Ткаченко+*, Д. Г. Бакшеев*, О. П. Сушков×
+Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия *Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия ×School of Physics, University of New South Wales, 2052 Sydney, Australia
Abstract
В рамках формализма Ландауэра-Бьюттикера промоделирован магнитотранспорт в мезоскопических
образцах с полупроводниковым искусственным графеном. Модельные четырехтерминальные системы в
высокоподвижном двумерном электронном газе имеют форму квадрата размером мкм, который заполнен
короткопериодной (120 нм) слабо разупорядоченной треугольной решеткой антиточек при
амплитуде модуляции электростатического потенциала, сравнимой с энергией Ферми.
Обнаружено, что при концентрациях носителей в решетке ниже точки Дирака n<n1D в холловском сопротивлении Rxy(B)
в диапазоне магнитных полей мТл возникает плато дырочного типа Rxy=-R0, а при n>n1D плато
электронного типа Rxy=R0, где R0=h/2e2=12.9 кОм. С усилением беспорядка плато разрушаются, но
тип носителей (электроны или дырки) сохраняется. При низких магнитных полях
длинноволновой беспорядок подавляет плато квантованных сопротивлений гораздо эффективнее, чем коротковолновый.
|
|