Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-120
      Volume 120
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 117 (2023) | ISSUE 3 | PAGE 228
Влияние беспорядка на магнитотранспорт в полупроводниковом искусственном графене
Abstract
В рамках формализма Ландауэра-Бьюттикера промоделирован магнитотранспорт в мезоскопических образцах с полупроводниковым искусственным графеном. Модельные четырехтерминальные системы в высокоподвижном двумерном электронном газе имеют форму квадрата размером 3\div 5 мкм, который заполнен короткопериодной (120 нм) слабо разупорядоченной треугольной решеткой антиточек при амплитуде модуляции электростатического потенциала, сравнимой с энергией Ферми. Обнаружено, что при концентрациях носителей в решетке ниже точки Дирака n<n1D в холловском сопротивлении Rxy(B) в диапазоне магнитных полей B=10\div50 мТл возникает плато дырочного типа Rxy=-R0, а при n>n1D плато электронного типа Rxy=R0, где R0=h/2e2=12.9 кОм. С усилением беспорядка плато разрушаются, но тип носителей (электроны или дырки) сохраняется. При низких магнитных полях длинноволновой беспорядок подавляет плато квантованных сопротивлений гораздо эффективнее, чем коротковолновый.