 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 120 (2024) | ISSUE 11 | PAGE 889 |
|---|
|
Проявление послоевой локализации сингулярностей ван Хова в туннелировании между листами двухслойного графена1)
Е. Е. Вдовин+ 2), Ю. Н. Ханин+, С. В. Морозов+, М. А. Кащенко*×, А. А. Соколик°, К. С. Новоселов∇
+Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия *Центр фотоники и двумерных материалов, Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия ×Лаборатория физики программируемых функциональных материалов, Центр нейрофизики и нейроморфных технологий, 127495 Москва, Россия °Институт спектроскопии РАН, 142190 Троицк, Москва, Россия ∇Institute for Functional Intelligent Materials, National University of Singapore, Building S9, 4 Science Drive 2, 117544 Singapore
Abstract
Исследовано туннелирование между двумя листами двухслойного графена, кристаллические решетки которых повернуты относительно друг друга на небольшой угол. Обнаружено аномальное поведение туннельной проводимости, обусловленное проявлением сингулярностей ван Хова на краях зоны проводимости и валентной зоны, пространственно локализованных в различных монослоях двухслойного графена. |