|
VOLUME 81 (2005) | ISSUE 8 CONTENTS |
page number of English version in brackets |
Поля, частицы, ядра |
|
Akhmedov E.T.,
Simplicial vs. continuum string theory and loop equations
|
445
(357)
|
|
Ovanesyan G.G., Vysotsky M.I.,
Hunting for the alpha: B→ ρρ, B → ππ, B→πρ |
449
(361)
|
|
Дербин А.В., Егоров В.И., Митропольский И.А., Муратова В.Н.,
Поиск солнечных аксионов, излучаемых при M1-переходе ядер 7Li * |
453
(365)
|
Атомы, спектры, излучения |
|
Лавров Б.П., Рязанов М.С.,
Определение электронно-колебательно-вращательных термов двухатомной молекулы по экспериментальным данным о волновых числах спектральных линий
|
459
(371)
|
|
Егоров Р.И., Денисенко В.Г., Соскин М.С.,
Топологический отклик неоднородных эллиптически поляризованных световых полей на управляемые анизотропные возмущения
|
464
(375)
|
Плазма, газы |
|
Ефремов В.П., Пикуз С.А. мл., Фаенов A.Я., Розмей О., Скобелев И.Ю., Шутов А.В., Хоффманн Д.Х.Х., Фортов В.Е.,
Исследование зоны энерговыделения потока тяжелых ионов в наноматериалах методами рентгеновской спектроскопии многозарядных ионов
|
468
(378)
|
Конденсированные среды |
|
Рязанов А.И., Клапцов А.В.,
Неустойчивость междоузельных дислокационных петель в диэлектриках под электронным облучением
|
474
(383)
|
|
Белов С.И., Инеев А.Д., Кочелаев Б.И.,
Исследование магнитных свойств и спиновой кинетики слабодопированных купратов на основе скирмионного подхода
|
478
(387)
|
|
Капустина О.А.,
О природе акустического механизма образования доменов в холестерическом жидком кристалле
|
481
(394)
|
|
Ponomarev A.I., Sabirzyanova L.D., Ivanov A.A., Moskvin A.S., Panov Yu.D.,
Anisotropic low-temperature in-plane magnetoresistance in electron doped Nd2-xCexCuO4+δ |
486
(394)
|
|
Гуденко С.В.,
ЭПР в аморфной пленке Gd0.14Si0.86 - режим узкого горла
|
492
(400)
|
|
Быков А.А., Калагин А.К., Бакаров А.К.,
Отрицательное магнетосопротивление высокоподвижного двумерного электронного газа в нелинейном режиме
|
498
(406)
|
|
Кунцевич А.Ю., Князев Д.А., Козуб В.И., Пудалов В.М., Брунтхалер Г., Бауер Г.,
Немонотонная температурная зависимость холловского сопротивления 2D системы электронов в Si
|
502
(409)
|
|
|